Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5

  • Camilo Valencia-Balvín Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
  • Santiago Pérez-Walton Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
  • Jorge Osorio-Guillén Universidad de Antioquia, Medellín
Palabras clave: Propiedades electrónicas, propiedades ópticas, óxido de niobio, DFT, PBEsol

Resumen

En este trabajo hemos investigado teóricamente las propiedades electrónicas y ópticas del óxido de niobio B-Nb2O5para una de sus fases cristalinas, a saber la fase B. Usamos la Teoría de los Funcionales de la Densidad junto con la Aproximación del Gradiente Generalizado con uno de sus nuevos funcionales diseñado para sólidos: PBEsol. La banda prohibida calculada es indirecta (Eg = 2,54 eV), con el máximo de la banda de valencia localizado en Γ y el mínimo de la banda de conducción en (1 ̅/3,1/3,1/3). También calculamos la parte real e imaginaria del tensor dieléctrico, el índice de refracción, la reflectividad, la transmitancia y la parte real de la conductividad óptica. El valor calculado del índice de refracción es 2,52, que está en buena correspondencia con el valor experimental de 2,64. 

Biografía del autor/a

Camilo Valencia-Balvín, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
Centro de Investigación, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
Santiago Pérez-Walton, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
Centro de Investigación, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín
Jorge Osorio-Guillén, Universidad de Antioquia, Medellín
Instituto de Física, Universidad de Antioquia, Medellín
Cómo citar
[1]
C. Valencia-Balvín, S. Pérez-Walton, y J. Osorio-Guillén, «Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5», TecnoL., n.º 27, pp. 103–117, dic. 2011.

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Publicado
2011-12-20
Sección
Artículos

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