TY - JOUR AU - Valencia-Balvín, Camilo AU - Pérez-Walton, Santiago AU - Osorio-Guillén, Jorge M. PY - 2018/09/14 Y2 - 2024/03/29 TI - Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5 JF - TecnoLógicas JA - TecnoL. VL - 21 IS - 43 SE - Artículos DO - 10.22430/22565337.1064 UR - https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/1064 SP - 43-52 AB - <p>Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones en<br>comunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con la<br>fabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a la<br>constante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudio<br>teórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbrido<br>HSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas y<br>dieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene un<br>gap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constante<br>dieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otras<br>fases de este semiconductor.</p> ER -