Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5

  • Camilo Valencia-Balvín Instituto Tecnológico Metropolitano
  • Santiago Pérez-Walton Instituto Tecnológico Metropolitano
  • Jorge M. Osorio-Guillén Universidad de Antioquia
Palabras clave: Ta2O5, teoría de los funcionales de la densidad, PBEsol, HSE06, constante dieléctrica

Resumen

Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones en
comunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con la
fabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a la
constante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudio
teórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbrido
HSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas y
dieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene un
gap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constante
dieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otras
fases de este semiconductor.

Biografía del autor/a

Camilo Valencia-Balvín, Instituto Tecnológico Metropolitano

PhD. en Física, Departamento de Electrónica y Telecomunicaciones, Facultad de Ingenierías, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín-Colombia

Santiago Pérez-Walton, Instituto Tecnológico Metropolitano

PhD. en Física, Departamento de Electrónica y Telecomunicaciones, Facultad de Ingenierías, Instituto Tecnológico Metropolitano, Medellín-Colombia

Jorge M. Osorio-Guillén, Universidad de Antioquia

PhD. en Física, Instituto de Física, Universidad de Antioquia, Medellín-Colombia

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Cómo citar
[1]
C. Valencia-Balvín, S. Pérez-Walton, y J. M. Osorio-Guillén, «Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5», TecnoL., vol. 21, n.º 43, pp. 43–52, sep. 2018.

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Publicado
2018-09-14
Sección
Artículos

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